日本東北大學(xué)、日本制鋼所公司和三菱化學(xué)公司合作，開發(fā)出了可量產(chǎn)直徑2英寸以上的GaN單晶基板的低壓酸性氨熱（LPAAT）法。通過實現(xiàn)低壓晶體生長，能以相對較小的晶體生長爐量產(chǎn)大型晶體。利用LPAAT法在基于SCAAT法的GaN籽晶上制作的2英寸長GaN單晶基板，具有晶體鑲嵌性低（對稱面和非對稱面的X射線搖擺曲線半值寬度在28秒內(nèi)）、基板幾乎沒有曲翹（曲率半徑約為1.5km）的良好晶體結(jié)構(gòu)特性。

利用LPAAT法制作的大口徑、低曲翹、高純度GaN單晶基板如果能普及，可靠性優(yōu)異的GaN垂直功率晶體管就有望實現(xiàn)實用化。

(本欄目稿件來源：日本科學(xué)技術(shù)振興機構(gòu) 整編：本報駐日本記者陳超)