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西安交大獲取到用于脈沖功率系統(tǒng)的陶瓷電容器儲(chǔ)能密度最高值,該成果可大幅降低陶瓷在強(qiáng)場(chǎng)下的電致應(yīng)變

作者:轉(zhuǎn)載 日期:2020-06-16 14:32:00 點(diǎn)擊數(shù):

北京時(shí)間16日凌晨,英國(guó)《自然材料》期刊在線發(fā)表了西安交通大學(xué)電信學(xué)部徐卓、李飛教授課題組最新學(xué)術(shù)成果《用于能量存儲(chǔ)的織構(gòu)多層陶瓷電容器》。

據(jù)徐卓教授介紹,陶瓷電容器作為一種重要的儲(chǔ)能電子元件,具有放電功率高、溫度穩(wěn)定性好和循環(huán)壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn),在先進(jìn)電子和電力系統(tǒng)中起著至關(guān)重要的作用,特別是在脈沖功率技術(shù)領(lǐng)域有著不可替代的應(yīng)用。當(dāng)前,電子器件正向小型化、輕型化方向發(fā)展,這也對(duì)陶瓷電容器的儲(chǔ)能密度提出了更高的要求。該成果可廣泛應(yīng)用在基于電卡效應(yīng)的固態(tài)制冷陶瓷等電子功能陶瓷領(lǐng)域,提高其在強(qiáng)場(chǎng)條件下工作的穩(wěn)定性和可靠性。

近年來,西安交大電信學(xué)部科研團(tuán)隊(duì)基于鈣鈦礦晶體電致伸縮效應(yīng)的各向異性特點(diǎn),有針對(duì)性提出“通過控制晶粒取向來降低陶瓷電容器在強(qiáng)場(chǎng)下所產(chǎn)生的應(yīng)變和應(yīng)力,避免微裂紋和拉伸應(yīng)力所導(dǎo)致的陶瓷擊穿,提高其擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度和儲(chǔ)能密度”設(shè)計(jì)思路,通過近兩年時(shí)間的技術(shù)攻關(guān),首次合成了<111>取向的鈦酸鍶模板(圖 1);進(jìn)而,利用流延-模板法成功制備了織構(gòu)度達(dá)91%的高質(zhì)量<111>取向鈦酸鍶鉍鈉(NBT-SBT)多層織構(gòu)陶瓷電容器(圖?2),大幅降低了陶瓷在強(qiáng)場(chǎng)下的電致應(yīng)變,提高了擊穿電場(chǎng)(100 MV m-1),獲得了高達(dá)21.5?J?cm-3的儲(chǔ)能密度,這是目前已知陶瓷電容器的最高值(圖 3)。


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